Kihid: 8 Pinnaviimistlus: ENIG Alusmaterjal: FR4 Väliskiht W/P: 4/4mil Sisemine kiht L/P: 3,5/3,5mil Paksus: 1,6 mm Min.augu läbimõõt: 0,45 mm
Kihid: 10 Pinnaviimistlus: ENIG Alusmaterjal: FR4 Väliskihi laius/laius: 4,5/2,5 milj Sisemine kiht L/P: 4/3,5mil Paksus: 1,0 mm Min.augu läbimõõt: 0,3 mm
Kihid: 10 Pinnaviimistlus: ENIG Alusmaterjal: FR4 Väliskihi laius/laius: 4/2,5 milj Sisemine kiht L/P: 4/3,5mil Paksus: 1,6 mm Min.augu läbimõõt: 0,2 mm Spetsiaalne protsess: impedantsi juhtimine
Kihid: 8 Pinnaviimistlus: HASL Alusmaterjal: FR4 Väliskihi laius/laius: 5/3,5 milj Sisemine kiht L/P: 6/3,5mil Paksus: 1,6 mm Min.augu läbimõõt: 0,2 mm
Kihid: 10 Pinnaviimistlus: ENIG Alusmaterjal: FR4 Väliskiht W/S: 6/4mil Sisemine kiht W/S: 4/4mil Paksus: 1,4 mm Min.augu läbimõõt: 0,25 mm Spetsiaalne protsess: impedantsi juhtimine
Kihid: 8 Pinnaviimistlus: ENIG Alusmaterjal: FR4 Väliskihi laius/laius: 4/3,5 milj Sisemine kiht L/P: 4/3,5mil Paksus: 1,0 mm Min.augu läbimõõt: 0,2 mm Spetsiaalne protsess: impedantsi juhtimine
Kihid: 8 Pinnaviimistlus: ENIG Alusmaterjal: FR4 Väliskihi laius/laius: 6/3,5 milj Sisemine kiht W/S: 6/4mil Paksus: 1,6 mm Min.augu läbimõõt: 0,25 mm Spetsiaalne protsess: impedantsi juhtimine
Kihid: 6 Pinnaviimistlus: ENIG Alusmaterjal: FR4 Väliskiht W/P: 4/4mil Sisemine kiht W/S: 4/4mil Paksus: 1,6 mm Min.augu läbimõõt: 0,2 mm Spetsiaalne protsess: impedantsi juhtimine
Kihid: 12 Pinnaviimistlus: LF-HASL Alusmaterjal: FR4 Väliskihi laius/laius: 4,5mil/3,5mil Sisemine kiht W/S: 4mil/3,5mil Paksus: 1,8 mm Min.augu läbimõõt: 0,25 mm Spetsiaalne protsess: impedantsi juhtimine
Kihid: 6 Pinnaviimistlus: ENIG Alusmaterjal: FR4 Väliskiht W/S: 4/3mil Sisemine kiht W/S: 5/4mil Paksus: 0,8 mm Min.augu läbimõõt: 0,2 mm Spetsiaalne protsess: impedantsi juhtimine
+86 13058186932
em01@huihepcb.com
+86 13751177644